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IXFH12N90P IXFV12N90P
IXFV12N90PS
14
12
Fig. 7. Input Admittance
14
12
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
10
T J = 125oC
25oC
10
25oC
- 40oC
8
6
4
2
0
8
6
4
2
0
125oC
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
2
4
6
8
10
12
14
35
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
V DS = 450V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
30
14
12
I D = 6A
I G = 10mA
25
10
20
8
15
6
T J = 125oC
10
5
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
Ciss
1,000
0.10
100
10
f = 1 MHz
Coss
Crss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_12N90P(65)10-22-08
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